Sfide del settore
L'industria fotovoltaica si sta orientando verso wafer di dimensioni maggiori (M10, G12) e substrati più sottili, una combinazione che spinge al limite le tecniche di taglio convenzionali.
Rischio di rottura
I wafer sottili sono soggetti a scheggiature sui bordi e microfratture.
Controllo TTV
Mantenere l'uniformità dello spessore su formati di grandi dimensioni.
Arco di filo metallico
Stabilità della tensione durante tagli prolungati.
Perdita materiale
Gli scarti di taglio influiscono direttamente sulla resa dei lingotti.
La nostra metodologia: risolvere l'equazione precisione-resa
Non forniamo solo attrezzature; consegniamo un processo di affettatura stabilizzatoNella transizione verso wafer più sottili e formati più grandi, la nostra metodologia si concentra sul controllo delle variabili fisiche che determinano la resa finale.
Soluzioni di taglio mirate per materiali fotovoltaici
Nell'industria fotovoltaica, il materiale definisce il processo. Forniamo logiche di taglio e squadratura specializzate, progettate per gestire le proprietà fisiche uniche del silicio, garantendo che la vostra linea di produzione raggiunga la massima resa con perdite di materiale minime.
Il viaggio verso una cella ad alta efficienza inizia con la Lingotto di silicioLa nostra soluzione per la preparazione dei lingotti si concentra sulla precisione geometrica e sull'integrità della superficie.
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La logica: Ottimizzando il percorso del filo diamantato durante la squadratura, garantiamo superfici perfettamente perpendicolari e un'elevata precisione dimensionale (±0.1 mm).
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Il vantaggio: Questa precisione riduce il materiale necessario per la fase successiva, massimizzando il volume utilizzabile del lingotto e garantendo una base stabile per la waferizzazione ad alta velocità.
Silicio monocristallino È il componente principale delle celle ad alta efficienza di tipo N e TOPCon, ma la sua natura fragile lo rende soggetto a rotture durante il taglio dei wafer sottili.
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La logica: La nostra metodologia si basa sul taglio con smorzamento delle vibrazioni. Sincronizziamo la tensione del filo con velocità di avanzamento adattive per gestire il passaggio a wafer da 100 μm.
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Il vantaggio: Riducendo al minimo lo stress meccanico sul reticolo cristallino, riduciamo significativamente le microfratture e le scheggiature dei bordi, migliorando direttamente la resa finale dei wafer di "grado A".
La qualità di a Materiale per celle solari Non si tratta solo dello spessore, ma anche della texture lasciata dal taglio. I successivi processi di texturizzazione e incisione richiedono una superficie uniforme.
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La logica: Utilizziamo un processo di raffreddamento e lubrificazione controllati per gestire l'attrito tra il filo diamantato e il silicio. Ciò previene la formazione di "segni di sega" e mantiene una rugosità superficiale costante di Ra≤0.2μm.
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Il vantaggio: Una superficie più liscia e uniforme semplifica il trattamento chimico nella produzione delle celle, portando a migliori capacità di cattura della luce e a una maggiore efficienza di conversione.
Il passaggio del settore verso M10 e G12 I formati introducono significative sfide legate all'“arco di filo” a causa dei percorsi di taglio più lunghi.
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La logica: Per questi substrati fotovoltaici di grande formato, la nostra soluzione implementa un circuito di compensazione della tensione ad alta frequenza. Questo mantiene il filo teso e dritto su tutta la larghezza del lingotto, anche durante il funzionamento ad alta velocità lineare.
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Il vantaggio: Questo stabilizza la variazione totale dello spessore (TTV) su tutta l'ampia superficie, garantendo che ogni wafer, dal bordo al centro, soddisfi le rigide tolleranze richieste dalle linee di assemblaggio automatizzate dei moduli.
Flusso di lavoro di produzione
Un processo di taglio stabilizzato e controllato, ottimizzato per la produzione di wafer di silicio ad alto rendimento.
Preparazione del lingotto
Ispezione del materiale per rilevare tensioni interne e garantire la stabilità durante il taglio ultrasottile.
Squadratura e muratura
Definizione della base geometrica con precisione dimensionale di ± 0.1mm.
Montaggio e allineamento
Sincronizzazione del feedback di tensione ad alta frequenza con le velocità di avanzamento per ridurre al minimo le microfratture.
Affettatura ad alta efficienza
Processo gestito tramite vibrazioni per 100μm – 130μm wafer con Ra ≤ 0.2μm superficie.
Pulizia e ispezione
Pulizia automatizzata a ultrasuoni e verifica TTV/Warp per substrati di "grado A".

