Desafios da Indústria
A indústria fotovoltaica está migrando para wafers maiores (M10, G12) e substratos mais finos — uma combinação que leva o corte convencional ao seu limite.
Risco de quebra
As lâminas finas são propensas a lascas nas bordas e microfissuras.
Controle TTV
Manter a uniformidade da espessura em formatos maiores.
Arco de arame
Estabilidade da tensão durante cortes prolongados.
Perda de Material
O desperdício de material no corte afeta diretamente o rendimento do lingote.
Nossa metodologia: Resolvendo a equação de precisão para rendimento
Não fornecemos apenas equipamentos; entregamos uma experiência completa. processo de fatiamento estabilizadoNa transição para wafers mais finos e formatos maiores, nossa metodologia se concentra no controle das variáveis físicas que determinam seu rendimento final.
Soluções de corte direcionadas para materiais fotovoltaicos
Na indústria fotovoltaica, o material define o processo. Fornecemos lógica especializada de corte e esquadrejamento projetada para lidar com as propriedades físicas exclusivas do silício, garantindo que sua linha de produção alcance o máximo rendimento com a mínima perda de material.
A jornada rumo a uma célula de alta eficiência começa com... Lingote de silícioNossa solução para preparação de lingotes foca na precisão geométrica e na integridade da superfície.
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A Lógica: Ao otimizar o percurso do fio diamantado durante o esquadrejamento, garantimos faces perfeitamente perpendiculares e alta precisão dimensional (±0.1 mm).
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O benefício: Essa precisão reduz a quantidade de material necessária para a próxima etapa, maximizando o volume útil do lingote e garantindo uma base estável para a fabricação de wafers em alta velocidade.
Silício monocristalino É a espinha dorsal das células de alta eficiência do tipo N e TOPCon, mas sua natureza frágil a torna propensa a quebras durante o corte de wafers finos.
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A Lógica: Nossa metodologia se concentra no corte com amortecimento de vibração. Sincronizamos a tensão do fio com taxas de alimentação adaptativas para lidar com a transição para wafers de 100 μm.
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O benefício: Ao minimizar a tensão mecânica na estrutura cristalina, reduzimos significativamente as microfissuras e o lascamento das bordas, melhorando diretamente o rendimento final de wafers de "grau A".
A qualidade de um Material da célula solar Não se trata apenas da espessura; trata-se da textura deixada pelo corte. Os processos subsequentes de texturização e corrosão exigem uma superfície uniforme.
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A Lógica: Utilizamos um processo controlado de resfriamento e lubrificação para gerenciar o atrito entre o fio de diamante e o silício. Isso evita marcas de serra e mantém uma rugosidade superficial consistente de Ra≤0.2μm.
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O benefício: Uma superfície mais lisa e uniforme simplifica o tratamento químico na fabricação de células, resultando em melhor capacidade de captura de luz e maior eficiência de conversão.
A mudança do setor em direção a M10 e G12 Os formatos introduzem desafios significativos de "curvatura do arame" devido aos percursos de corte mais longos.
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A Lógica: Para esses substratos fotovoltaicos de grande formato, nossa solução implementa um circuito de compensação de tensão de alta frequência. Isso mantém o fio esticado e reto em toda a largura do lingote, mesmo durante a operação em alta velocidade linear.
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O benefício: Isso estabiliza a TTV (Variação Total da Espessura) em toda a grande área da superfície, garantindo que cada wafer — da borda ao centro — atenda às rigorosas tolerâncias exigidas pelas linhas de montagem automatizadas de módulos.
Fluxo de trabalho de produção
Um processo de fatiamento estabilizado e controlado, otimizado para a produção de wafers de silício de alto rendimento.
Preparação de lingotes
Inspeção do material para verificar tensões internas e garantir a estabilidade durante o corte ultrafino.
Esquadrejamento e alvenaria
Definição da base geométrica com precisão dimensional de ± 0.1mm.
Montagem e alinhamento
Sincronizar o feedback de tensão de alta frequência com as taxas de alimentação para mitigar microfissuras.
Fatiamento de Alta Eficiência
Processo com controle de vibração para 100μm - 130μm wafers com Ra ≤ 0.2μm superfície.
Limpeza e inspeção
Limpeza ultrassônica automatizada e verificação de TTV/empenamento para substratos de "grau A".

